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全自动单晶圆清洗机 AST-T02-CL

设备特点:

高压清洗：最大输出压力可达4000 PSI，可以使用去离子水或溶剂化学品，所搭配的高压喷头为 Needle Type。气动高压Pump 配合高压喷头，依制程需要配置压力输出。
二流体清洗：充分发挥二流体的清洗效能，对于0.3 μm 以下的 particle 有良好的去除能力，搭配各式喷头的工艺于产品。二流体压力7kg/cm2以内。
化学清洗：适用于界面活性剂，溶剂型或碱性的清洗液，搭配温控系统，诸如 Flux 清洗或 SC1清洗制程等，提供客户最适的制程选择。配备不锈钢清洗液加热供应槽，最高控制温度达 95 °C。
·高速、平稳、抗静电之 Spin Chuck，最高转速 >5000 rpm。
·藉由化学品的选用，适合的喷头及程控，增强底部间隙的清洗能力。
·Semi-close 腔体设计，使Exhaust 表现最佳抽气状态。

主要技术参数：

Purpose :

Applicable :

Load / Unload :

Chuck :

Equipment Control :

Scanning Arm :

Process Feature

This equipment can do wafer particle remove and flux residue cleaning.

12”/8” Wafer Cleaning

EFEM

Vacuum chuck

Touch type IPC + PLC Control

Process Arm Control with Scanning function.

·2-fluid Spray ： 2~7kg/cm2
·HPC 60~200 kg/cm2
·DIW Stream Nozzle：1~3 kg/cm2
·N2 ：Jet Nozzle 5~7kg/cm2
·Megasonic：DIW + Mega sonic (Spot NozzleType)
·Flux cleaning chemical ： Stream nozzle
·Steam clean： Steam + DI water (1~4 kg/cm2)